【2026年4月1日,德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）發(fā)布搭載TLVR（跨電感穩(wěn)壓器）技術的高電流密度四相電源模組，以滿足先進AI數(shù)據(jù)中心對電力需求的不斷增長。TDM24745T是一款全新的OptiMOS™四相電源模組，專為滿足下一代AI加速器快速增長的電力需求而設計。該模組將四個功率級、TLVR電感和解耦電容集成到緊湊的9 x 10 x 5 mm³封裝中，提供業(yè)界領先的電流密度，高達2 A/mm²以上。這項組合實現(xiàn)了卓越的瞬態(tài)性能，支持高級GPU和AI處理器所需的高電流核心供電，并適用于橫向和垂直的電力傳輸配置。

作為業(yè)界首款采用此類緊湊封裝的TLVR四相電源模組，英飛凌的TDM24745T產品提供高達320 A的峰值電流能力

英飛凌科技電源IC與連接系統(tǒng)高級副總裁兼總經理Athar Zaidi表示：“隨著AI的工作負荷以前所未有的速度增長，對高效且超緊湊的供電需求比以往任何時候都更加迫切。借助TDM24745T，我們重新定義了高電流穩(wěn)壓的可能性。通過將業(yè)界領先的電流密度與先進的TLVR技術集成到極小型的封裝中，我們幫助客戶更好地發(fā)揮計算性能、降低能耗，并加速下一代AI數(shù)據(jù)中心的部署。”

隨著AI數(shù)據(jù)中心的電力需求不斷提升，電力架構也必須變得更加緊湊、靈敏和高效。TDM24745T通過簡化電力架構設計和提升功率密度，騰出了額外的PCB空間來容納更多計算資源，并同時提供極快的瞬態(tài)響應。TLVR架構還能將所需的輸出電容降低多達50%，幫助系統(tǒng)設計人員實現(xiàn)更高效、節(jié)省空間的布局，從而直接為能源節(jié)約和降低AI服務器平臺的總體擁有成本（TCO）做出貢獻。

作為業(yè)界首款采用此類緊湊封裝的TLVR四相模組，TDM24745T提供高達320 A的峰值電流能力，特別適用于下一代AI處理器和高電流多處理器平臺。結合英飛凌的數(shù)字多相控制器，該模組支持靈活、可擴展的架構，加速在快速演進的AI環(huán)境中完成系統(tǒng)部署。憑借OptiMOS™-6 MOSFET技術、芯片嵌入式集成技術和專有的磁性元件技術，該模組即使在最緊湊的AI服務器設計中仍能提供更佳的效率與熱性能，助力打造更節(jié)能的AI數(shù)據(jù)中心。

TDM24745T電源模組已無縫集成于英飛凌端到端AI服務器供電生態(tài)系統(tǒng)中，涵蓋從電網(wǎng)接口到核心處理器供電的所有環(huán)節(jié)。英飛凌以硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）技術的綜合優(yōu)勢，提供全面、可擴展的解決方案，助力實現(xiàn)AI優(yōu)化數(shù)據(jù)中心架構的出色效率、可靠性和功率密度。

供貨情況

欲了解更多關于TDM24745T OptiMOS™四相電源模組的信息，敬請訪問：英飛凌官網(wǎng)。