4月3日消息，據(jù)媒體報道，三星近日宣布，計劃于2030年前實現(xiàn)1nm制程的量產(chǎn)，成為業(yè)界首家公開披露1nm生產(chǎn)節(jié)點時間表的廠商，意圖與臺積電爭奪先進(jìn)制程話語權(quán)。

目前，臺積電對外公布的最先進(jìn)制程路線圖已邁入埃米時代。其下一代邏輯制程A14（1.4nm）預(yù)計于2028年投入生產(chǎn)。

臺積電強(qiáng)調(diào)，A14制程旨在通過提供更快的運(yùn)算速度與更高的能效，推動AI轉(zhuǎn)型，同時有望強(qiáng)化終端設(shè)備的AI功能，使智能手機(jī)更加智能。

臺積電此前表示，A14制程開發(fā)進(jìn)展順利，良率優(yōu)于預(yù)期，搭載超級電軌（SPR）技術(shù)的版本計劃于2029年推出。

此外，隸屬于2nm家族的A16制程，作為臺積電邁入埃米制程的首站，計劃于2026年下半年量產(chǎn)。業(yè)界曾傳出，OpenAI自研的ASIC芯片正由博通、邁威爾（Marvell）等美系廠商合作開發(fā)，并已在臺積電的3nm及A16制程投片生產(chǎn)。

產(chǎn)業(yè)人士透露，三星晶圓代工部門規(guī)劃在2030年前完成1nm制程研發(fā)并進(jìn)入量產(chǎn)。由于1nm制程的電晶體密度是2nm的兩倍，技術(shù)難度顯著提升，被視為芯片微縮的關(guān)鍵里程碑。

為突破物理極限，三星1nm制程的主力架構(gòu)將從現(xiàn)行的環(huán)繞式閘極（GAA）轉(zhuǎn)向"叉型片"（fork sheet）結(jié)構(gòu)，通過在納米片之間加入絕緣層，進(jìn)一步提升電晶體密度，從而改善功耗與性能。

受AI對高階芯片需求旺盛的推動，三星持續(xù)加大研發(fā)與資本支出，2025年投入總額已達(dá)90.4兆韓元，2026年將再增加22%，顯示出其追趕乃至超越競爭對手、搶占AI芯片與高頻寬記憶體（HBM）等新興領(lǐng)域話語權(quán)的決心。

與此同時，三星也在同步優(yōu)化現(xiàn)有先進(jìn)制程，積極爭取重量級客戶訂單。產(chǎn)業(yè)人士指出，三星已開發(fā)出客制化2nm制程"SF2T"，主要供應(yīng)特斯拉下一代AI芯片AI6，預(yù)計于2027年在三星德州新廠量產(chǎn)。