11 月 17 日消息，根據(jù) TrendForce 集邦咨詢今日發(fā)布的調(diào)查報道，2026 年全球市場仍面臨不確定性，通脹持續(xù)干擾消費市場表現(xiàn)，更關(guān)鍵的是，存儲器步入強勁上行周期，導致整機成本上揚，并將迫使終端定價上調(diào)，進而沖擊消費市場。

基于此，TrendForce 集邦咨詢下修 2026 年全球智能手機及筆電的生產(chǎn)出貨預測，從原先的同比增長 0.1% 及 1.7%，分別調(diào)降至同比下滑 2% 及 2.4%。此外，若存儲器供需失衡加劇，或終端售價上調(diào)幅度超出預期，生產(chǎn)出貨預測仍有進一步下修風險。

DRAM 漲勢強勁，低端智能手機首當其沖

從個別產(chǎn)品來看，2025 年智能手機存儲器價格上揚主要由 DRAM 帶動。2025 年第四季度 DRAM 合約價格對比去年同期上揚逾 75%，以存儲器占整機 BOM cost（IT之家注：物料成本、硬件成本）約 10~15% 估算，2025 年該成本已被墊高 8~10%。

隨著 DRAM 及 NAND Flash 合約價格仍持續(xù)攀升，預估明年整機 BOM cost 將在今年的基礎(chǔ)上再提升約 5~7%，甚至可能更高。對于原本就利潤偏薄的低端機種而言，品牌端勢必調(diào)降該產(chǎn)品占比，同時針對全系列產(chǎn)品分層上調(diào)終端售價以維系正常營運。

由于存儲器供應緊張狀況延續(xù)，規(guī)模較小的智能手機品牌資源取得難度加大，不排除該市場將進入新一輪洗牌，大者恒大的趨勢將更為明確。

供給收縮推升存儲器大漲，2026 年筆電市場恐迎來成本與需求雙重壓力

2026 年筆電市場同樣將面臨明顯壓力，以今年存儲器上漲前的成本結(jié)構(gòu)為基準觀察，DRAM 及 NAND Flash 合計占筆電整機 BOM cost 的比重約 10~18%，在如此大幅且連續(xù)數(shù)季的上漲下，預估存儲器占整機 BOM cost 的比重將進一步擴大至 20% 以上。

若品牌選擇將成本轉(zhuǎn)嫁，預估 2026 年筆電終端售價將普遍上調(diào) 5~15%，對需求形成實質(zhì)壓力。筆電低價位市場同樣對價格變化高度敏感，預期將出現(xiàn)延后換機或轉(zhuǎn)向二手市場的情況。中價位市場的換機動能則可能顯著放緩，企業(yè)與家庭用戶皆傾向延長設(shè)備生命周期。此外，高價位市場雖相對具韌性，但預算有限的創(chuàng)作者與電競用戶仍可能調(diào)整至較低端配置。

綜合來看，存儲器價格持續(xù)上漲將使 2026 年筆電市場面臨 BOM cost 推升、通路壓力擴大、需求疲軟等三重壓力，品牌端需在規(guī)格調(diào)整、庫存運作與通路補貼間取得平衡，以降低對銷售與毛利的沖擊。

至于可視為 PC 外圍延伸的顯示器，其所搭載的存儲器多為小容量存儲器，受直接漲價沖擊影響有限。其隱憂來自間接影響，若 PC 零售價格大幅調(diào)漲導致整體出貨下修，將連帶沖擊顯示器出貨表現(xiàn)，因此顯示器年度出貨將從微增 0.1% 轉(zhuǎn)為同比下滑 0.4%。

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