市場調(diào)查機構(gòu) CounterPoint Research 昨日（11 月 19 日）發(fā)布博文，示警全球內(nèi)存市場正面臨嚴峻的價格上漲壓力。

援引博文報告預測，繼今年價格已飆升 50% 之后，動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的價格在 2025 年第四季度可能再上漲 30%，并在 2026 年初進一步上漲 20%。綜合來看，到 2026 年第二季度，內(nèi)存價格相較于當前水平，累計漲幅可能高達 50%。

當前的供應緊張主要源于舊款內(nèi)存芯片的短缺。為滿足人工智能（AI）領(lǐng)域的龐大需求，三星、SK 海力士等主要制造商正將產(chǎn)能優(yōu)先分配給更先進的芯片，這直接導致了舊款 LPDDR4 內(nèi)存的供應緊張。

這種產(chǎn)能轉(zhuǎn)移已引發(fā)市場價格倒掛的異�，F(xiàn)象：用于服務器和個人電腦的較新 DDR5 內(nèi)存現(xiàn)貨價約為每吉比特（Gb）1.50 美元，而廣泛用于低端消費電子產(chǎn)品的舊款 LPDDR4 價格卻高達 2.10 美元，甚至超過了先進的 HBM3e 內(nèi)存。

報告強調(diào)，一個更廣泛且長期的風險正在浮現(xiàn)，其核心驅(qū)動力是芯片巨頭英偉達（NVIDIA）的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型。傳統(tǒng)上，服務器為保證數(shù)據(jù)可靠性，普遍采用具備錯誤糾正碼（ECC）功能的 DDR 內(nèi)存。

然而，英偉達為降低功耗，正轉(zhuǎn)向在服務器產(chǎn)品中大規(guī)模采用 LPDDR 內(nèi)存，并計劃通過 CPU 層面處理錯誤糾正。研究總監(jiān) MS Hwang 指出，這一轉(zhuǎn)變使英偉達的需求規(guī)模堪比一家大型智能手機制造商，對現(xiàn)有供應鏈而言，這是一場難以迅速消化的“地震級”變革。

這一系列連鎖反應的最終影響將廣泛波及整個消費電子生態(tài)系統(tǒng)。高級分析師 Ivan Lam 表示，最初的沖擊主要影響采用 LPDDR4 的低端智能手機制造商，但“陣痛”很快會蔓延。

報告預測，中高端智能手機的物料清單（BoM）成本可能因此增加超過 25%，這將嚴重侵蝕制造商的利潤空間，或迫使企業(yè)上調(diào)產(chǎn)品售價，從而影響市場增長。在產(chǎn)能受限與價格飆升的雙重壓力下，整個行業(yè)將面臨艱難的權(quán)衡與抉擇。