【2025年10月29日,德國慕尼黑訊】工業領域中的快速直流電動汽車（EV）充電、兆瓦級充電、儲能系統，以及不間斷電源設備，往往需要在嚴苛環境條件與波動負載的運行模式下工作。這些應用對高能效、穩定的功率循環能力以及較長的使用壽命有著極高的要求。為滿足這些需求，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了EasyPACK™ C系列產品——EasyPACK™封裝家族的新一代產品。該全新封裝系列的首款產品為碳化硅（SiC）功率模塊，集成了英飛凌CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2技術，并采用了公司專有的.XT互連技術。通過降低靜態損耗并提高可靠性，這些模塊有助于滿足工業應用領域日益增長的能源需求，并助力實現可持續發展目標。

憑借英飛凌的CoolSiC™ MOSFET G2技術，新產品較上一代CoolSiC™ MOSFET功率密度提升超過30%，使用壽命延長高達20倍。此外，該產品的導通電阻（RDS(on)）顯著降低約25%。不僅如此，全新的EasyPACK™ C封裝設計理念進一步提高了功率密度與布局靈活性，為未來更高電壓等級的產品設計奠定了基礎。而英飛凌的.XT互連技術進一步延長了器件的使用壽命。

英飛凌CoolSiC™ MOSFET Easy 2C .XT

該系列模塊可承受結溫（Tvj(over)）高達200°C的過載開關工況。搭載全新PressFIT壓接引腳，其電流承載能力提升一倍，同時降低PCB板的溫度，并優化安裝流程。全新的塑封材質與硅凝膠設計，支持該模塊在最高175°C的結溫（Tvj(op)）下依然穩定運行。此外，該系列模塊還具備一分鐘內耐受3千伏交流電的隔離等級。這些特性共同助力該模塊實現更卓越的系統能效、更長的使用壽命，以及更出色的耐高溫性能。

采用EasyPACK™ C封裝的全新模塊提供多種拓撲結構，包括三電平（3-level）和H橋（H-bridge）配置，且同時提供含/不含熱界面材料的兩種版本。