此前有消息稱，臺積電2nm制程工藝將于本周試產(chǎn)，蘋果將獨占首批產(chǎn)能，用于制造iPhone 17用芯片。不僅如此，消息稱臺積電下一代3D封裝先進平臺SoIC（系統(tǒng)整合芯片）也規(guī)劃用于蘋果M5芯片，預計將在2025年量產(chǎn)，SoIC月產(chǎn)能將從當前的4000片至少擴大一倍，2026年有望實現(xiàn)數(shù)倍增長。海外機構(gòu)預測，蘋果M5芯片有望大幅提升計算性能，可用于人工智能（AI）服務器。

隨著SoC（系統(tǒng)級芯片）越來越大，未來12英寸晶圓恐怕只能制造一顆芯片，但這對晶圓代工廠的良率及產(chǎn)能是重大挑戰(zhàn)。以臺積電為首的生態(tài)，試圖通過SoIC立體堆疊封裝技術(shù)，來避免單顆芯片面積持續(xù)擴大帶來的弊端，且能夠滿足SoC芯片對于晶體管數(shù)量、接口數(shù)、傳輸質(zhì)量及運行速度的要求。

臺積電3D封裝中的TSMC-SoIC技術(shù)包含多種形態(tài)（Chip on Wafer、Wafer on Wafer），可將多顆同構(gòu)或異構(gòu)小芯片垂直、水平緊密堆疊，集成為一顆類似單顆SoC的芯片。隨后，這種SoIC可進一步通過CoWoS、InFO_PoP等封裝技術(shù)，與HBM等DRAM芯片進行組合。

業(yè)界指出，SoIC的關(guān)鍵——混合鍵合技術(shù)（Hybrid Bonding）是未來AI/HPC芯片互聯(lián)的主流革命性技術(shù)，英偉達與AMD目前都在尋求SoIC混合鍵合間距降至6μm~4.5μm，目前臺積電的技術(shù)能力為10μm及以下。

中國臺灣業(yè)界表示，AMD MI300系列芯片為率先導入SoIC封裝的產(chǎn)品，雖仍處于良率爬坡階段，但其余大廠皆十分感興趣。觀察今年臺積電各大客戶動態(tài)，除爭取3nm搶下更多產(chǎn)能外，也參考CoWoS發(fā)展經(jīng)驗，對SoIC封裝技術(shù)展現(xiàn)高度興趣。